Silicon Carbide Keramik-Semiconductor-Silicon Carbide Schacht
| Material Charakteristiken | Héich Kraaft, héich thermesch Konduktivitéit, héich Rengheet |
| Applikatioun Felder | Semiconductor |
| Spezifesch Applikatioun | Wafer Schacht |
| Schwieregkeeten an der Veraarbechtung | Flaachheet Ausgezeechent Parallelismus, gutt Surface Finish. |
| Prozess Flux | Pulver - Granulatioun - Formen - Sinteren - Feinbearbeitung - Detektioun - Botzen |
| Addéieren | Gebai 1, Nr 32, North Gaobu Plaza Road, Gaobu Town, Dongguan City, Guangdong Province, China |
| Tel | +86-769-28825488 |
| MP | +86-13826964454 (Mr. Zhang) |
| eric@nuoyict.com |
Schreift Äre Message hei a schéckt en un eis






